使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器(英文)

池保勇; 朱晓雷; 王自强; 王志华

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使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器(英文)

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提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.

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来源
《半导体学报》 |2005年第9期|1705-1710|共6页
作者
池保勇; 朱晓雷; 王自强; 王志华;
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作者单位

清华大学微电子学研究所;

清华大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类振荡器;
关键词
振荡器; 射频; CMOS; 相位噪声;

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