基于双离子注入法的新型PSD结构

李倩; 李田泽; 陈祥鹏

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基于双离子注入法的新型PSD结构

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在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)传统结构的基础上,采用双离子注入方法,研究一种新型的PSD结构.这种新型结构通过在N型硅衬底分别注入一种高剂量、低能量的硼离子和另一种高能量的硼离子形成,离子注入后在1 050℃扩散炉中氧气保护退火2h,形成浅和低掺杂的PN结.实验结果表明,新型PSD结构可获得较高的位置分辨率、较小的响应时间误差及非线性.

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来源
《山东理工大学学报：自然科学版》 |2015年第1期|58-61|共4页
作者
李倩; 李田泽; 陈祥鹏;
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作者单位

山东理工大学电气与电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光波通信、激光通信;
关键词
新型PSD结构; 双离子注入; 退火;

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