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UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计

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设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.

著录项

来源
《上海电力大学学报》 |2013年第3期|238-240|共4页
作者
阮颖; 张书霖;
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作者单位

上海电力学院电子与信息工程学院;

华东师范大学微电子电路与系统研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN722.75;
关键词
功率放大器; SiGe; BiCMOS工艺; 超高频; 阅读器;

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