基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计

阮颖; 朱武; 张伟

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基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计

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基于0．18μmSiGeBiCMOS工艺，设计了一款应用于WLAN802．11频段的低噪声放大器（LNA）．采用了共射级的两级级联结构，发射极运用电感负反馈，有效地提高了增益和线性度．仿真结果表明，在5～6GHz工作频段内，小信号增益S21达20．5dB，噪声系数NF低于2dB，正向传输系数S22小于-19dB和反向传输系数是：小于-18dB，实现了较好的输入输出匹配．

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来源
《上海电力大学学报》 |2013年第5期|468-471|共4页
作者
阮颖; 朱武; 张伟;
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作者单位

上海电力学院电子与信息工程学院;

华东师范大学微电子电路与系统研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
低噪声放大器; 噪声系数; SiGe; BiCMOS工艺; 无线局域网;

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