CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子

李琰; Yavuz Degerli; 姜来; 纪震

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CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子

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研究适用于下一代国际线性电子对撞机中顶点探测器的CMOS有源集成像素传感器.实验芯片现采用标准0.35μmCMOS工艺设计,像素矩阵为128行×32列,像素大小为25μm×25μm,在像素内部实现相关双次采样技术.通过采用放射源55Fe测定,芯片等效输入随机噪声为12个电子,而固定噪声为3个电子.传感器的电荷-电压转换系数达59μV/e-.在170MHz工作主频下,芯片信号处理速度达12μs/帧.芯片模拟部分功耗小于30mW.

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来源
《深圳大学学报：理工版》 |2009年第1期|30-35|共6页
作者
李琰; Yavuz Degerli; 姜来; 纪震;
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作者单位

深圳大学德州仪器DSPs实验室深圳大学计算机与软件学院;

CEA Saclay IRFU/SEDI 91191 Gif-sur-Yvette Cedex;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O572.214;
关键词
国际线性电子对撞机; CMOS有源像素传感器; 相关双次采样; 随机噪声; 固定噪声; 电荷-电压转换系数;

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