二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

盛钢; 高宏雷; 李玲; 高洁

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二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

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表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2004年第3期|603-607|共5页
作者
盛钢; 高宏雷; 李玲; 高洁;
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作者单位

四川大学物理科学与技术学院;

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正文语种 chi
中图分类物理声学;
关键词
声电电流; 二维电子气; 分裂门;

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