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王孝平; 赁敦敏; 廖运文; 吴浪; 朱建国; 肖定全;
四川大学材料科学与工程学院;
Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)TiO_3; 无铅压电陶瓷; 溶胶凝胶;
机译:种子层对溶胶-凝胶法制备(Na_(0.85)K_(0.15)_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3薄膜的晶体取向和电性能的影响
机译:Sc掺杂对溶胶-凝胶法制备(Na_(0.85)K_(0.15)_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3薄膜的结构和电性能的影响
机译:退火条件对Sol-Gel法制备Mn掺杂(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3薄膜电学性能的影响
机译:外延生长的基掺杂(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3通过溶胶 - 凝胶法制备的薄膜的电性能
机译:无稀土抗钙钛矿Sr2.5-xBa0.5Al1-xP xO4F(0小于或等于x小于或等于0.15),Sr3Al1-xY xO4F(0小于或等于0)的固态合成和表征x小于或等于1)和Sr2.5-x / 2Ba0.5 Al1-xHfxO4F(0小于或等于x小于或等于0.1)作为潜在的荧光粉材料。
机译:源自聚合物改性溶胶 - 凝胶法Na0.5Bi0.5TiO3铁电厚膜的结构和电学性质
机译:(Na0.85K0.15)0.5bi0.5tiO3基于多层薄膜的异质结构(Na0.85k0.15)的厚度依赖性结构和机电性能
机译:研究自对准,应变通道,N + -Inas / al sub 0.5 Ga sub 0.5 as / In sub 0.15 Ga sub 0.85 as semiconductor Insulator semiconductor FET(sIsFET)
机译:焊接填充材料和钢,含0.05-0.14%C; 8-13%Cr; 1-2.6%Ni; 0.5-1.9%Mo; 0.5-1.5%Mn; 0.15-00.5%Si; 0.2-0.4%V; 0-0.04%B,2.1-4%Re; 0-0.07%Ta,0-60 ppm Pd
机译:通过失活油棕果中存在的脂解酶,制备一种将所述果油中的ffa限制在0.5-0.85%的油棕果的制备方法。
机译:晶态无铅压电陶瓷Na 0.5 Sub> Bi 0.5 Sub> TiO 3 Sub> —BaTiO 3 Sub>陶瓷的加工方法性能
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