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单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析(英文)

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摘要

本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．

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来源
《华南理工大学学报：自然科学版》 |1998年第3期|73-78|共6页
作者
徐宝民; 麦崇裔; 刘永清; 张丽清;
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作者单位

华南理工大学电子与信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.6;
关键词
散粒噪声; 单电子晶体管; 隧穿率; 噪声谱;

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