渐变能隙超晶格结构中的施主杂质性质的研究

靳志军; 焦善庆

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渐变能隙超晶格结构中的施主杂质性质的研究

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本文研究了渐变能隙超晶格结构中类氢施主杂质的性质。使用无限深抛物线势阱模拟这一结构,在有效质量近似下,用变分法计算了抛物线势阱中施主杂质的基态和几个低激发态的束缚能。给出了这些状态的束缚能随势阱焦距(Al 成分的变化率)、杂质的位置变化的规律,并将所得的结果与方势阱的实验结果进行比较,得出了一些有意义的结果。

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来源
《西南交通大学学报》 |1991年第2期|93-102|共10页
作者
靳志军; 焦善庆;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体晶体物理;
关键词
渐变能隙; 超晶格; 施主; 束缚能;

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