GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射

黄俊滔; 饶志明; 谢芳森

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GaP,GaAs和PPLN晶体级联差频产生太赫兹辐射

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研究周期极化磷化镓晶体(GaP)、砷化镓晶体(GaAs)和周期极化铌酸锂晶体(PPLN)准相位匹配级联差频产生太赫兹辐射,相较于差频过程,级联过程太赫兹辐射输出功率增大9.5倍.通过分析三波耦合方程,计算并比较晶体的波矢失配量、极化周期和太赫兹功率,结果显示,基于GaP晶体产生的太赫兹功率略大于GaAs晶体输出的功率;GaAs晶体的极化周期最小;PPLN晶体的波矢失配量和极化周期取值范围最小,而输出的太赫兹功率和转换效率最高.建立基于周期极化掺氧化镁铌酸锂晶体(MgO:PPLN)准相位匹配原理的宽调谐激光系统,分析吸收因子对输出太赫兹功率的影响,计算级联差频峰值功率和转换效率.十五阶峰值功率3.72 MW,泵浦光总能量到太赫兹辐射能量的转换效率是3.72％.

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来源
《太赫兹科学与电子信息学报》 |2018年第4期|576-583594|共9页
作者
黄俊滔; 饶志明; 谢芳森;
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作者单位

江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌 330022;

江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌 330022;

江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌 330022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;物理学的数学方法;
关键词
太赫兹; 级联过程; 差频产生; 周期性极化晶体; 准相位匹配;

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