一种D波段低噪声放大器芯片设计

刘杰12; 蒋均12; 石向阳12; 田遥岭12

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一种D波段低噪声放大器芯片设计

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提出了一种晶体管器件模型修正方法，校准了Ommic公司D007IH工艺中D波段晶体管模型和D波段共面波导传输线电路模型。该校准方法中通过与共面波导（CPW）三维模型仿真结果的曲线拟合，确定了D波段传输线电路模型的介电常数；通过与CGY2191UH芯片的S参数测试结果拟合，修正了晶体管器件模型。为了验证了设计方法的有效性，基于修正模型设计了一款低噪声放大器芯片，仿真结果表明，工作频率为110 GHz-170 GHz，增益大于29 dB，噪声系数小于6 dB。

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来源
《太赫兹科学与电子信息学报》 |2016年第5期|P.653-656|共4页
作者
刘杰12; 蒋均12; 石向阳12; 田遥岭12;
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作者单位

[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;

[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类通信理论;
关键词
D波段低噪声放大器单片微波集成电路改变结构高电子迁移率晶体管（mHEMT）参数提取 D007IH工艺;

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