一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT

关旭; 吴琼乐; 王泽华; 柏文斌; 管超; 陈吕赟

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一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT

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提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对器件的一些关键参数(如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明,提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比,关断速度可以提高30%。

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来源
《太赫兹科学与电子信息学报》 |2012年第1期|114-117|共4页
作者
关旭; 吴琼乐; 王泽华; 柏文斌; 管超; 陈吕赟;
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作者单位

电子科技大学功率集成技术实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
横向绝缘栅双极型晶体管; 超结器件; 阳极辅助栅; 关断时间;

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