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刘谦祥; 郭希铭; 赵杰;
天津师范大学,物理与电子信息学院,天津,300074;
MEVVA源; 电荷密度; 会切磁场;
机译:MEVVA离子源产生的铀离子束的电荷状态增加
机译:通过MEVVA离子源的碳离子注入形成Si_5C_3型碳化硅并表征
机译:MEVVA离子源注入的TiN薄膜的表面性质和微观结构
机译:等离子体密度对MEVVA离子源提取的高电流梁的影响
机译:使用电荷交换复合光谱仪在DIII-D托卡马克上测量绝对氦离子密度分布。
机译:空心圆柱结构的磁场增强电子碰撞离子源的数值模拟与设计
机译:MEVVA离子源在不锈钢中注入Cuion及其分子动力学模拟
机译:E-mevva和Z-mevva的结果:开发出强烈的高电荷态重离子束的新来源
机译:在离子源和离子源中为了向密度分布控制单元提供离子束
机译:用于提取多电荷离子束的高磁场ECR离子源系统
机译:半导体材料蚀刻具有电离反应器的离子源多电荷束,该电离反应器具有抽取器壁/电离输入和输入/输出极,并带有封闭的通量磁场。
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