基于40nm CMOS工艺的25Gb/s光接收机模拟前端电路设计

谢生; 闵闯; 魏恒; 毛陆虹; 杜永超

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基于40nm CMOS工艺的25Gb/s光接收机模拟前端电路设计

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为更好地屏蔽探测器结电容、适配先进工艺节点的低电源电压,对共栅级放大器进行改进,提出一种带有源反馈结构的共栅级跨阻放大器,降低了电压余度消耗并有效提升带宽.在此基础上,采用TSMC 40 nm CMOS工艺,设计一款速率为25 Gb/s的伪差分光接收机模拟前端电路.该电路包括跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级.其中,跨阻放大器采用带有源反馈结构的共栅级放大器,限幅放大器利用交错式有源反馈结构来提高电路带宽内的幅频响应平坦度,fT倍频器作为阻抗匹配的输出缓冲级.仿真结果表明,在电源电压0.9 V,探测器结电容等效值为150 fF的情况下,光接收机模拟前端电路的跨阻增益为59.6 dBΩ,-3 dB带宽为20.8 GHz,功耗为46.6 mW,芯片核心面积为600μm×440μm.

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来源
《天津大学学报：自然科学与工程技术版》 |2020年第12期|1295-1300|共6页
作者
谢生; 闵闯; 魏恒; 毛陆虹; 杜永超;
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作者单位

天津大学微电子学院;

天津300072;

中国电子科技集团第五十四研究所;

石家庄050000;

天津大学电气自动化与信息工程学院;

天津300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
跨阻放大器; 共栅级跨阻放大器; 光接收机; CMOS工艺;

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