首页> 中文期刊> 《天中学刊》 >硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究

硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究

         

摘要

采用高温热解法,以硼氢化纳/乙二胺(NaBH4/C2H8N2)饱和溶液为前驱液在沉积有铁催化剂的硅基底上生长硼碳氮(BCN)纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、扫描俄歇微探针和拉曼光谱对BCN纳米管进行形貌观察和表征.BCN纳米管的高度在20μm左右,直径在50~100nm之间,具有明显的"竹节状"结构,结晶有序度较差.对BCN纳米管薄膜进行低场致电子发射性能测试,开启电场1.8V/μm,外电场升至2.48V/μm时发射电流170μA/cm2,当外加电场大于5.5V/μm时,可以观察到发射点均匀分布的场致电子发射图像.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号