团簇V3P2成键、电子自旋密度与催化活性

秦渝; 方志刚; 赵振宁; 马填棋; 李历红

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团簇V3P2成键、电子自旋密度与催化活性

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cqvip:基于密度泛函理论,在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇V3P2进行优化,得到6种优化构型。通过分析其成键与电子自旋密度分布来研究稳定性,并从能隙差值,HOMO、LUMO轨道贡献以及态密度图三个方面来研究团簇V3P2的化学反应活性、潜在催化活性位点以及催化活性,最终得到以下结论:金属与非金属键(P-V键)是团簇V3P2构型稳定性的主要贡献者;团簇的稳定性与构型外围电子自旋密度分布的均匀度、对称性及α、β电子重叠程度有关;团簇V3P2所有优化构型中最稳定的是构型1(4),最不稳定的是构型3(2);构型1(4)的化学反应活性最差,构型3(2)的化学反应活性最好;多重度对团簇V3P2的化学反应活性具有一定程度的影响;V原子是团簇V3P2前线轨道的主要贡献者,即可能是团簇V3P2的潜在催化活性位点;构型3(4)可以提供较多的电子、构型2(4)极易接受较多的电子从而实现电子转移,说明构型3(4)和2(4)都具有良好的催化活性。

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来源
《辽宁科技大学学报》 |2019年第4期|269-276|共8页
作者
秦渝; 方志刚; 赵振宁; 马填棋; 李历红;
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作者单位

辽宁科技大学化学工程学院辽宁鞍山 114051;

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正文语种 chi
中图分类结构化学;
关键词
团簇V3P2; 成键; 电子自旋密度; 化学反应活性; 催化活性;

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