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郑同场; 林伟; 蔡端俊; 李金钗; 李书平; 康俊勇;
厦门大学物理科学与技术学院;
福建省半导体材料及应用重点实验室;
半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心;
福建厦门361005;
高Al组分AlGaN; 发光偏振特性; Mg杂质; 能带工程;
机译:通过引入超薄AlN层来修改AlGaN多量子阱中的应变和光学偏振特性
机译:应变对在AlN衬底上生长的AlGaN和基于AlGaN的紫外线激光器的偏振特性的依赖性
机译:基于AlGaN基量子阱结构的光学偏振特性研究
机译:MOCVD生长的高Al组分AlGaN薄膜的数值模拟
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用于深紫外激光应用的高al含量alGaN合金。
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译:AlGaN气相沉积方法和通过AlGaN气相沉积方法制造的AlGaN晶体厚膜基板
机译:GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
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