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王松柏; 张声豪;
厦门大学物理学系;
双极扩散长度; 表面光伏法; 砷化镓; 半绝缘砷化镓;
机译:确定GaAs p-i-n二极管中双极性扩散长度和载流子寿命的方法
机译:半绝缘GaAs衬底上的Zn扩散InAs光电二极管可实现高速和低暗电流性能
机译:半绝缘GaAs衬底中的p-n结二极管中的α粒子诱导电荷收集
机译:具有Zn扩散保护环的半绝缘GaAs衬底上的InAs光电二极管可实现高速和低暗电流性能
机译:双极耦合自旋半系统的多体多重量子动力学,及其在氢化非晶硅中的氢网络中的应用。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:阴极发光法直接测定GaAs / AlGaAs异质结构中的双极扩散长度
机译:应变诱导缺陷对尼泊掺杂亚0.2 Ga亚0.8 as / Gaas mQW中过剩载流子寿命和双极扩散的影响
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:在半导体本体中形成非常窄的掺杂区域的方法,以及该方法的使用,该方法用于生产从其他双极半导体器件,集成注入逻辑和双扩散FET半导体中绝缘的半导体区域
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
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