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半绝缘GaAs中的双极扩散长度

         

摘要

分析了半绝缘( S I) Ga As 表面光伏的特点和公式.用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 S I Ga As 单晶的双极扩散长度,用 1.1 μm 红外吸收法测量 E L2 浓度,并对测量结果作了分析和讨论.指出双极扩散长度 La 是反映 S I Ga As 质量的一个重要电学参数.

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