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N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

         

摘要

提出适用于可见光全波段的光伏测算GaAs单晶表面复合速度的新方法.实验结果表明,对于掺Si的N型弱简并GaAs单晶(n0=2.0×1017cm-3),其表面复合速度Sp=1.6×105cm·s-1,与有关报道基本一致.

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