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硅太阳电池光谱响应的曲线拟合研究

         

摘要

从理论和实验对常规和背场硅太阳电池的光谱响应进行研究。利用阻尼最小二乘法对光谱响应进行拟合计算,可得出各区少于扩散长度、表面复合速度和结深等参数。计算结果表明,拟合值和实验值的剩余标准离差σ≤3.2%,用等光强表面光伏法对基区少子扩散长度进行跟踪监测,观察其随工艺变化状况并验证光谱响应拟合结果。

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