Al和N极性AlN生长特性的第一性原理

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• 来源
  《厦门理工学院学报》 |2013年第3期|30-34|共5页
• 作者

  庄芹芹; 林伟; 王元樟; 张小英;

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• 作者单位

  厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门361024;

  光电技术福建省高校重点实验室,福建厦门361024;

  厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005;

  厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门361024;

  光电技术福建省高校重点实验室,福建厦门361024;

  厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门361024;

  光电技术福建省高校重点实验室,福建厦门361024;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
• 关键词

  深紫外LED; AlN; 极性可控生长; 第一性原理计算;