基于铁电薄膜HfO2的双阈值负电容独立栅FinFET器件

徐萧萧; 胡建平

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基于铁电薄膜HfO2的双阈值负电容独立栅FinFET器件

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cqvip:将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件.通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件.提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势.

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来源
《湘潭大学学报：自然科学版》 |2019年第5期|P.136-140|共5页
作者
徐萧萧; 胡建平;
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作者单位

宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类有限群论;
关键词
双阈值独立栅FinFET; 负电容FinFET; 低功耗; 铁电薄膜HfO2;

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