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戈勤; 徐波; 陶洪琪; 王维波; 马晓华; 郭方金; 刘宇;
南京电子器件研究所;
江苏南京210016;
西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
陕西西安710071;
中国科学成都文献情报中心;
四川成都610041;
GaN高电子迁移率晶体管; W波段; 功率放大器; 微带线; 微波单片集成电路;
机译:使用MMIC MESFET功率放大器和变容二极管倍增器的W波段集成功率模块
机译:使用砷化镓MMICS的W波段发射器模块
机译:使用磷化铟和砷化镓MMICS的W波段接收器模块
机译:3.6 W / mm高功率密度W波段InAlGaN / GaN HEMT MMIC功率放大器
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:采用50 nm Inp技术的低噪声W波段mmmIC放大器,适用于毫米波接收器应用
机译:用于Herschel HIFI仪器的W波段mmIC功率放大器开发
机译:MMIC功率放大器稳定性标准方法和MMIC功率放大器设计方法使用相同
机译:具有导体支持共面波导的单分子微波集成电路(MMICS)和设计这种MMICS的方法
机译:高功率MMIC功率放大器设计方法
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