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一种Si CMOS的Ka波段毫米波功率放大器

         

摘要

为了满足毫米波雷达或通信系统对更高发射功率的需求,基于65 nm Bulk Si CMOS工艺制程设计了一款Ka频段功率放大器。该功率放大器工作于30~32 GHz,采用了共源共栅差分对结构的两级放大单元,使用中和电容增强电路的稳定性,并以变压器为基础设计实现了片上无源阻抗匹配网络。经过测试,该功率放大器在工作频段内的最大输出功率为16.3 dBm。当功率放大器过驱动时,其最大功率附加效率为16.9%,-1 dB压缩点为13.2 dBm,功率增益为23.6 dB。这种功率放大器芯片在功率增益和芯片面积利用率方面具有优势,为硅基毫米波功率放大器提供了一种可行的高功率输出的设计实例。

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