掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷介电性能的影响

钟祥清; 丁士华; 宋天秀; 张倩; 曾卓玮

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掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷介电性能的影响

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采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的微观结构和介电性能的影响.结果表明:掺杂降低了(Zr0.8Sn0.2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1 300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少.XRD结果显示:样品的主晶相均为(Zr0.8Sn0.2) TiO4相,ZnO和CuO的质量分数均为1％,烧结温度1 350℃时,介电常数为40.5,损耗为0.0004(1 MHz),介电性能最佳.

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来源
《西华大学学报（自然科学版）》 |2015年第2期|46-49|共4页
作者
钟祥清; 丁士华; 宋天秀; 张倩; 曾卓玮;
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作者单位

西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039;

西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039;

西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039;

西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039;

西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039;

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正文语种 chi
中图分类陶瓷工业;
关键词
介电常数; Cu3TiO4; SEM;

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