稳恒载流导体横截面上电流密度分布分析

机译：介质NN横截面和密度分布对Ne，Mg和O同位素的介入横截面和密度分布在1 GEV下C-12的反应横截面

机译：恒电容DLTS测量半导体中的缺陷密度分布

机译：用各种目标核的弹性散射横截面的相对论平均场密度分布的相对论平均场密度分布（$ ^ {10a ?? 14,16} rm {c} $）分析

机译：改进的OPGW电缆横截面上电流密度分布的理论分析，减少皮肤效应区域

机译：硅上异质外延的锗中少数载流子寿命与缺陷密度分布的经验相关性。

机译：恒流循环下螺旋缠绕式超级电容器的热建模分析

机译：磁场对脉冲功率条件下半导体电力装置载流子密度分布的影响

机译：欧姆接触附近半导体中自由载流子密度分布的计算。

机译：确定流段上电子流密度分布的方法

机译：恒流发生电路，恒流发生装置，恒流发生方法，电阻测量装置和电阻测量方法

机译：半导体基板载流子密度分布的检查方法