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陈廷侠; 聂惠娟;
自举电路; 输入阻抗;
机译:在双极型晶体管上,基极加宽开始时的集电极电流是集电极-基极电压的函数
机译:通过在非本征基极和集电极中使用埋入式SiO / sub 2 /和多晶GaAs降低基极-集电极电容的AlGaAs / GaAs HBT
机译:通过削弱GaInAs / InP DHBT中的集电极和子集电极来降低基极-集电极电容
机译:用于降低磷化铟HBT中的基极-集电极寄生效应的制造工艺和外延生长技术。
机译:DNa的单电子氧化通过电离辐射:基极 - 基极的空穴传输性和空穴俘获之间的竞争
机译:一种高频GaInp / Gaas异质结双极晶体管,采用选择性埋入式子集电极,具有降低的基极 - 集电极电容
机译:电子封装的固定基极和驱动基极模态测试的比较。
机译:双异质结构双极晶体管包括镓铟磷化物集电极,掺杂层,集电极和基极之间的低n掺杂,非掺杂或低p掺杂中间层,基极,发射极和接触层
机译:高功率开关中使用的双极晶体管包括半导体衬底,集电极层,基极层,发射极层以及覆盖集电极层和基极层的侧面的导电膜。
机译:晶体管集电极,基极和发射极测量电路,用于确定功能是否完整:使用逻辑组件驱动指示器,施加逐步增加的基极脉冲并与反相的集电极信号进行比较
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