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离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件

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摘要

用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻温度系数的薄膜。

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来源
《长江大学学报：自然科学版》 |2005年第10期|359-361|共3页
作者
谢建生; 李金华; 袁宁一;
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作者单位

江苏工业学院信息科学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;红外光学材料;
关键词
氧化钒薄膜; 退火; 离子束增强沉积;

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