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阴极离子镀制备TiN薄膜及其光电性能的研究

         
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摘要

Titanium nitride ( TiN) has become a hot topic in recent years due to its unique physical, chemical, optical, electrical and mechanical properties.In the present work, a homogeneous and dense TiN thin film was deposited on 304 stainless steel substrates by using a cathodic ion sputtering method. The structure, optical and electrical properties of the thin film were studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, U-Vis spectrophotometer and infrared spectroscopy.The results show that the main phase of the film is TiN, which exhibits an orientation along the ( 111) plane, with a small amount of O impurities.The surface roughness Rq is about 21.21 nm, while the average thickness is about 0.896μm.The reflectivity in the middle-far infrared band exceeds 80%, and the calculated hemisphere emittance of the film is about 0.19. The ellipsometry results show that the extinction coefficient and the refractive index of TiN is rather similar as Ag, which makes the TiN film to serve as an excellent candidate for low-emission coating materials.%氮化钛(TiN)由于其独特的物理、化学、光、电和机械等性能,近年来已成为材料研究热点.本文采用阴极离子镀膜法在304不锈钢基片上制备均匀致密的TiN薄膜.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、扫描探针显微镜、紫外可见分光光度计、红外光谱仪等方法研究了薄膜的物相、结构以及光电特性.结果表明,薄膜主要物相为TiN,在(111)晶面具有取向性,同时薄膜中含有少量的O杂质.薄膜表面较平整,颗粒结合紧密,有部分孔洞和小尺寸突起,表面粗糙度Rq约为21.21 nm,薄膜平均厚度约为0.896μm,在红外波段的反射率可达到80%以上,红外辐射率约为0.19,椭偏结果显示TiN薄膜的消光系数k和折射率n与Ag有相似的光学特性,是一种性能优异的低辐射镀膜材料.

著录项

  • 来源
    《燕山大学学报》 |2017年第4期|371-376|共6页
  • 作者

    陈胜男; 林威豪; 汪建勋; 宋晨路; 韩高荣;

  • 作者单位

    浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州 310027;

    浙江大学 硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜技术;
  • 关键词

    阴极离子溅射; TiN薄膜; 低辐射; 光电性能;

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