铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

郑大宇; 孙元平; 王莉莉; 张书明; 杨辉

首页> 中文期刊> 《烟台大学学报：自然科学与工程版》 >铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.

著录项

来源
《烟台大学学报：自然科学与工程版》 |2008年第3期|181-184|共4页
作者
郑大宇; 孙元平; 王莉莉; 张书明; 杨辉;
展开▼
作者单位

烟台大学光电信息科学技术学院;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
铟镓氮(InGaN); 光致发光; 半高宽度; 激活能;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 铟颗粒上具有不同直径氧化铟纳米锥的原位合成与光致发光特性 [J] . 董红星 ,杨合情 ,余杰 . 化学学报 . 2008,第013期
2. 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响 [J] . 李宝吉 ,吴渊渊 ,陆书龙 . 材料导报 . 2016,第016期
3. MOCVD生长的全组分InGaN材料 [J] . 徐峰 ,吴真龙 ,邵勇 . 微纳电子技术 . 2009,第5期
4. 等离子体材料银铟合金光学性质的组分依赖性 [J] . 杨尚东 ,郑玉祥 ,张冬旭 . 红外与毫米波学报 . 2016,第001期
5. 上海微系统所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展 [J] . . 人工晶体学报 . 2015,第4期
6. MOCVD生长InGaN薄膜的光致发光特性 [C] . 苑进社 ,西安交通大学理学院 ,陈光德 . 第九届中国太阳能光伏会议 . 2006
7. 高铟组分InGaN薄膜的MOCVD外延生长机理及其光电性质研究 [A] . 刘建勋 . 2017

铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅