金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨

廖承菌; 杨培志; 廖华; 李学铭

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为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为:差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面。

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来源
《云南师范大学学报：自然科学版》 |2013年第5期|22-28|共7页
作者
廖承菌; 杨培志; 廖华; 李学铭;
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作者单位

可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室;

云南师范大学太阳能研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
黑硅; 增强广谱吸收; 金字塔绒面;

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