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周立庆; 刘兴新; 巩锋; 胡尚正;
华北光电技术研究所,北京100015;
碲锌镉薄膜; 液相外延; 薄膜特性;
机译:通过液相外延在具有缓冲层的(100)GaSb衬底上生长InAs_(0.3)Sb_(0.7)薄膜
机译:液相外延法在无缓冲层的硅(100)衬底上磷化铟的区域选择性外延
机译:液相外延法表征NiO缓冲层上生长的YBa2Cu3O7-δ膜
机译:NIO缓冲层上的YBA {Sub} 2Cu {Sub} 3O {Sub}(7-δ)膜的液相外延生长
机译:高效黄铜矿光伏器件的新型途径:替代缓冲层和碱处理吸收剂的光谱研究。
机译:化学浴和表面沉积法制备Cu(InGa)Se2太阳能电池板(CdZn)S缓冲层的比较研究
机译:通过低温液相外延法形成用于生长量子点的gaas缓冲层
机译:用LpE(液相外延)技术生长HgZnTe层
机译:液相外延生长技术控制磷化镓单晶层中硅浓度的方法
机译:在倒装芯片技术中用于生产电路板的半导体芯片具有缓冲体,该缓冲体具有由阻尼材料制成的保护层,该保护层布置在接触表面之间并且在半导体组件结构上方
机译:薄层技术中使用的组件具有一个双层缓冲层,该双层由面向基材的铜层和面向铜铁层的钌层组成
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