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Si基HgCdTe材料的电学特性研究

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摘要

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低；Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料，但高补偿性并非材料的固有特性，通过P型退火可使材料变为低补偿材料，迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比，性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量，从而进一步提高迁移率，是Si基外延研究的关键。

著录项

来源
《激光与红外》 |2007年第B09期|P.919-923|共5页
作者
魏青竹; 吴俊; 巫艳; 陈路; 于梅芳; 王伟强; 傅祥良; 何力;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海200083;

中国科学院研究生院,北京100039;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
Si基; HgCdTe; 电学参数; 少子寿命; 变温霍耳; 分子束外延;

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