束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

傅祥良; 王伟强; 于梅芳; 乔怡敏; 魏青竹; 吴俊; 陈路; 巫艳; 何力

首页> 中文期刊> 《激光与红外》 >束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。

著录项

来源
《激光与红外》 |2007年第B09期|P.915-918|共4页
作者
傅祥良; 王伟强; 于梅芳; 乔怡敏; 魏青竹; 吴俊; 陈路; 巫艳; 何力;
展开▼
作者单位

中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海200083;

中国科学院研究生院,北京100039;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
HgCdTe; 表面缺陷; 分子束外延;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷 [J] . 傅祥良 ,王伟强 ,于梅芳 . 激光与红外 . 2007,第0z1期
2. 采用慢电子束测量MBE生长的GaAs薄膜表面缺陷... [J] . 何元金 ,戴伦 . 半导体情报 . 1991,第006期
3. 分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究 [J] . 王丹 ,高达 ,李震 . 红外 . 2021,第010期
4. 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究 [J] . 陈路 ,巫艳 ,于梅芳 . 红外与毫米波学报 . 2001,第006期
5. 化学束—气源外延生长HgCdTe [J] . Sun.CJ ,汪艺华 . 红外与毫米波学报 . 1992,第001期
6. 束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷 [C] . 傅祥良 ,中国科学院研究生院 ,王伟强 . 第三届全国先进焦平面技术研讨会 . 2007
7. As掺杂MBE生长HgCdTe材料的P型退火及其评价 [A] . 徐非凡 . 2004

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅