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XING Wei-rong; LIU Ming; ZHOU Peng; ZHOU Li-qing;
InAs/GaSb; Ⅱ类超晶格; 电学性能; 霍尔测试;
机译:AlSb和InAs-GaSb层厚度对InAs / AlSb / GaSb II型超晶格中HH-LH分裂和带隙能的影响
机译:InAs / GaSb II型超晶格的结构和光学表征:固定的类似于InSb的界面的InAs和GaSb层厚度变化的影响
机译:用于长波长红外光电探测器的金属有机化学气相沉积在GaSb衬底上InAs / GaSb和InAs / InAsSb II型超晶格的外延生长和表征
机译:双光谱INAS / GASB II类超晶格图像探测器的开发
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:强耦合Inas / Gasb中的超晶格magnetophonon共振 超晶格
机译:半导体超晶格(Inas-Gasb超晶格)中沟道的计算。
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器中的辐射缺陷缓解方法及相关方法
机译:II InAs(In)GaSb型超晶格结构的周期性控制方法
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