甚长波碲镉汞红外探测器制备研究

田震; 宋淑芳; 邢艳蕾; 孙浩; 刘世光

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甚长波碲镉汞红外探测器制备研究

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报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器件加工、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了640×512,25μm碲镉汞甚长波红外焦平面器件。通过进一步优化了材料生长和芯片制备工艺,在65 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.35μm,有效像元率为98.06%,平均峰值探测率为8.09×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。

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来源
《激光与红外》 |2022年第10期|1527-1531|共5页
作者
田震; 宋淑芳; 邢艳蕾; 孙浩; 刘世光;
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作者单位

中电科光电科技有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
双层异质结; 甚长波红外; 碲镉汞; 红外焦平面探测器;

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