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60Co照射正电子湮没研究YAP晶棒芯部固有结构缺陷

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本文通过^(60)Co 的γ照射及正电子湮没寿命谱学测量,研究了1%Nd:YAP晶棒芯部的固有结构缺陷及其“浸泡”前后的变化规律,说明了“浸泡”工艺是改善芯部缺陷的一种好手段。通过1100℃ H_2中10h 退火实验,虽然有褪白效应,然而,副效应是大的。

著录项

来源
《激光技术》 |1992年第6期|342-349|共8页
作者
史子康; 吴锦华;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类晶体缺陷;
关键词
湮没; YAP晶棒; 芯部结构; 晶体缺陷;

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