日本使用超临界CO2清除残留的光刻胶

机译：酸不稳定的断链聚合物体系，用作可在超临界CO2中显影的正性光刻胶

机译：晶圆旋转对超临界CO2光刻胶剥离的影响

机译：压力脉动对超临界CO2中低k膜蚀刻后光刻胶剥离的影响

机译：多层掩膜在清除UV纳米压印光刻胶残留中的应用

机译：使用中压等离子体（MPP）射流去除高剂量离子注入光刻胶的无残留工艺。

机译：两种常规方法获得的六种药用植物提取物的筛选以及针对香豆素含量22-二苯基-1-吡啶并肼基自由基清除能力和总酚含量的超临界CO2提取

机译：压力脉动对超临界CO2中低k膜上蚀刻后光刻胶剥离的影响

机译：使用超临界二氧化碳从空气过滤器插件中提取和检测农药残留

机译：使用超临界二氧化碳工艺去除半导体中的光刻胶和光刻胶残留物

机译：来自半导体的光刻胶，使用超临界二氧化碳方法去除光刻胶残留物

机译：使用超临界二氧化碳工艺去除半导体中的光刻胶和光刻胶残留物