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梅燕; 韩业斌; 聂祚仁;
北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;
化学机械抛光(CMP)技术; 浆料; 硅片;
机译:超大直径硅晶片超精密形状测量和评价技术研究
机译:高科技零件的超精密抛光技术-应力消除和超精密精加工-CMP抛光垫的表面状况分析和抛光特性
机译:单晶基板的精密加工技术,用于光电子 - 超精密CMP评价和蓝宝石,氮化镓和碳化硅基材的表面损伤
机译:纳米SO_2浆料稳定性参数对硅晶片化学机械抛光(CMP)的影响
机译:混合表面活性剂系统可控制恶劣环境中的分散稳定性,以增强金属表面的化学机械抛光(CMP)。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:焊盘表面粗糙对大直径硅晶片化学机械抛光中施加到GaN基LED衬底的影响
机译:采用化学机械抛光(Cmp)和热氧化的纳米通道制造技术
机译:CMP浆液,使用CMP浆液的化学机械抛光方法以及使用化学机械抛光方法形成电容器表面的方法
机译:CMP(化学机械抛光)装置的保持环,用于通过均匀地控制保持环和抛光垫以及压力分布和压力分布之间的接触面积来改善CMP过程中晶片总表面的抛光光洁度。
机译:用于抛光硅晶片的化学机械抛光浆料组合物,其能够改善硅晶片表面的局部光散射体的缺陷,并且使用相同的抛光方法
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