二维单层MoS2半导体材料的制备及光电特性研究

刘阳; 李梦轲; 李旺; 柳婕; 刘源; 刘畅; 刘俊; 胡馨月

首页> 中文期刊> 《材料科学》 >二维单层MoS2半导体材料的制备及光电特性研究

二维单层MoS2半导体材料的制备及光电特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

二维半导体材料是一类新兴的新材料,具有广泛的电学性能和潜在的应用价值。本文以S和MoO3粉末为原料,利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD),在SiO2/Si片上制备了高质量、大面积的单层MoS2单晶样品。利用XRD、OM、EDS、TEM、AFM及半导体光电特性分析设备,对不同制备样品的表面形貌、晶体结构、组成成份、样品厚度及光电特性进行了测试分析。结果发现,制备的三角形的单层及少层MoS2单晶主要呈现六角晶系结构,且边界清晰,表面光滑,有较好的透光性,最大尺度可达250 μm,MoS2单晶生长中的硫化反应过程符合VLS生长机制。在不同生长条件中,反应物中的S/MoO3的质量比和反应温度是影响单层MoS2单晶样品生长类型的主要影响因素。分析发现,制备单层MoS2单晶的最佳S/MoO3质量比为1000/30,而最佳沉积温度为900℃。测试发现,由单层MoS2单晶样品制备的光电器件具有很高的光电灵敏度和较好的光电响应特性。

著录项

来源
《材料科学》 |2022年第2期|136-146|共11页
作者
刘阳; 李梦轲; 李旺; 柳婕; 刘源; 刘畅; 刘俊; 胡馨月;
展开▼
作者单位

辽宁师范大学物理与电子技术学院大连;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
CVD; MoS2; 单层; 光电特性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于二维层状半导体材料的光电极特性及其研究进展 [J] . 徐新龙 ,马菁瑶 ,卢春辉 . 西北大学学报（自然科学版） . 2020,第003期
2. 二维半导体材料与器件——从传统二维光电材料到石墨炔 [J] . 黄彦民 ,袁明鉴 ,李玉良 . 无机化学学报 . 2017,第011期
3. 微纳米光电器件用单层MoS_2的制备与结构表征 [J] . 坚佳莹 ,常洪龙 ,岳皎洁 . 西安工业大学学报 . 2018,第4期
4. 外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响 [J] . 范梦慧 ,蔡勋明 ,岑伟富 . 固体电子学研究与进展 . 2015,第2期
5. 基于二维材料的快速响应金属-半导体-金属结构光电探测器研究进展 [J] . 何嘉玉 ,陈克强 ,冀婷 . 发光学报 . 2022,第5期
6. 半导体纳米材料修饰旋转环盘电极的制备及其在对硝基苯酚光电催化降解机理分析中的应用研究 [C] . 顾永娥 ,叶晓亮 ,杜永令 . 第十一届全国电分析化学会议 . 2011
7. 单层MoS2半导体材料的光电性质研究 [A] . 张勇 . 2014

二维单层MoS2半导体材料的制备及光电特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅