氧化锆材料的掺杂机理探讨

唐辉; 林振汉; 王欣; 张强

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氧化锆基陶瓷材料具有良好的物理性能和化学性能,在很多高新技术产业方面得到广泛的应用.但纯氧化锆与氧化锆陶瓷随温度的升高产生由单料→四方→立方的转变,这种相结构的变化导致性能不稳定,并伴随着体积发生变化使材料遭到破坏.作者综述了近年来对氧化锆掺杂稳定机理的研究,主要包括:低价阳离子掺杂机理,同价阳离子掺杂机理和多相掺杂机理.其中心思想认为空穴是影响氧化锆结构稳定性的最重要因素.并着重叙述了不同价态对结构稳定性的影响.

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来源
《中国材料进展》 |2007年第1期|69-73|共5页
作者
唐辉; 林振汉; 王欣; 张强;
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作者单位

上海大学,上海,200072;

上海大学,上海,200072;

上海大学,上海,200072;

上海大学,上海,200072;

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正文语种 chi
中图分类钛副族（ⅣＢ族）元素的无机化合物;特种结构材料;
关键词
氧化锆; 陶瓷; 掺杂; 缺陷; 空位;

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