OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究

张华; 余志强; 张昌华; 廖红华

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OsSi2电子结构及介电性能的第一性原理研究

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采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi2的电子结构和介电性能.结果表明,在1.010 nm≤a≤1.030 nm范围内,OsSi2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当品格常数a为1.020 nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi2具有0.625 eV的间接带隙能量值;OsSi2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi2相比,OsSi2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi2的介电峰减少且介电峰强度明显增强.

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来源
《材料导报》 |2016年第12期|149-152|共4页
作者
张华; 余志强; 张昌华; 廖红华;
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作者单位

湖北民族学院信息工程学院,恩施445000;

湖北民族学院信息工程学院,恩施445000;

湖北民族学院信息工程学院,恩施445000;

湖北民族学院信息工程学院,恩施445000;

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正文语种 chi
中图分类能带论;
关键词
第一性原理; 外延生长; 二硅化锇; 电子结构; 介电性能;

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