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史晓华; 王刚; 郭庆磊; 张苗; 狄增峰;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050;
锗衬底; 石墨烯; 界面结构; 第一性原理;
机译:界面对石墨二炔吸附在SiO2和h-BN衬底上的结构和电子性能的影响:第一性原理研究
机译:石墨烯/ MoS_2界面的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:石墨烯与硅烷或锗烷的叠层:第一性原理研究
机译:石墨烯能带结构修饰的第一性原理研究
机译:磷酸锆锗和黄铜矿中缺陷电子结构的第一性原理研究。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:锗及其界面电子结构的第一性原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:石墨烯层与衬底的耦合方法以及包括所获得的石墨烯/衬底结构的装置
机译:用于屏蔽电磁辐射以屏蔽电磁辐射的结构包括石墨烯薄层和柔性衬底,其中石墨烯薄层施加在柔性衬底上并掺杂有掺杂剂
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