In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

周远明; 舒承志; 梅菲; 刘凌云; 徐进霞; 王远; 张冉

首页> 中文期刊> 《材料导报》 >In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料.

著录项

来源
《材料导报》 |2014年第2期|160-164|共5页
作者
周远明; 舒承志; 梅菲; 刘凌云; 徐进霞; 王远; 张冉;
展开▼
作者单位

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉430068;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
自旋电子学; 自旋场效应晶体管; 量子阱; Rashba自旋-轨道耦合;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Rashba多量子阱异质结中自旋轨道耦合效应对电子输运的影响 [J] . 王超 ,王玉玲 . 石家庄学院学报 . 2013,第003期
2. Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响 [J] . 石德政 ,王瑛 ,代珍兵 . 四川师范大学学报（自然科学版） . 2014,第001期
3. 含Rashba自旋轨道耦合二维电子气结构中电子反常位移及自旋分离 [J] . 杨晓芳 . 量子电子学报 . 2011,第3期
4. 在Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合相互作用下二端双通道中的局域自旋极化研究 [J] . 刘艳丽 ,迟锋 . 渤海大学学报（自然科学版） . 2009,第001期
5. 有Dresselhaus和Rashba自旋轨道耦合的一维波导中自旋态和本征值的研究 [J] . 王博 ,迟锋 . 渤海大学学报（自然科学版） . 2007,第004期
6. AlXGa1-XN/GaN异质结中的Rashba自旋劈裂 [C] . . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. InSb量子阱中Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合作用参数的独立调控 [A] . 李恒梅 . 2020

In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅