ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析

张俊; 马向丽; 王钰萍; 吕建国

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ZnMgO基紫外探测器的研究进展及分析

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ZnO基三元合金半导体材料因其重要的带隙调制作用,已成为紫外探测器发展的一个重要方向,特别是Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器,可以探测日盲区紫外光,更是受到了各国极大的关注.当前,Zn_(1-x)Mg_xO基紫外探测器大多采用MSM叉指结构,响应峰位于300nm附近,响应时间最高可达ns量级,紫外可见光抑制比亦可大于4个数量级.扼要介绍了国内外相关小组的研究进展,并着重分析了薄膜组分、结构以及探测器性能参数等.

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来源
《材料导报》 |2010年第3期|22-26,32|共6页
作者
张俊; 马向丽; 王钰萍; 吕建国;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
ZnMgO; 紫外探测器; 性能参数;

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