T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究

马泽宇; 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 杨翠柏

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T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究

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从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。

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来源
《材料导报》 |2010年第s1期|227-229|共3页
作者
马泽宇; 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 杨翠柏;
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作者单位

1. 中国科学院半导体研究所材料科学中心 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
T-ZnOw; 逾渗; 复合材料;

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