In2O3的掺杂及气敏性能研究

牛新书; 魏平涛; 王雪丽; 茹祥莉; 陈晓丽

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In2O3的掺杂及气敏性能研究

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较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.

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来源
《材料导报》 |2008年第9期|11-14|共4页
作者
牛新书; 魏平涛; 王雪丽; 茹祥莉; 陈晓丽;
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作者单位

河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007;

河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007;

河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007;

河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007;

河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007;

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正文语种 chi
中图分类 TP212.2;
关键词
In2O3掺杂; 气敏性; 机理;

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