聚焦离子束研磨Au-Ti-GaAs薄膜引起损伤的研究

谭勇文; 徐天伟; 谢雪冰; 杨卫国; 杨海

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聚焦离子束研磨Au-Ti-GaAs薄膜引起损伤的研究

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通过分析纳米孔的透射电子显微镜（TEM）截面图像和蒙特卡罗理论模拟,研究了聚焦离子束（FIB）研磨Au-Ti-GaAs薄膜的基本性能。应用蒙特卡罗方法模拟FIB研磨三层薄膜的损伤深度与离子能量大小的关系,由于材料不同的阻止本领和晶体结构等因素对损伤深度的影响,随着离子能量的增大,损伤深度并非线性增加。同时,溅射物质的重沉积也影响着纳米孔的形貌,对此也作了系统的分析和探讨。

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来源
《材料导报》 |2008年第s1期|75-77|共3页
作者
谭勇文; 徐天伟; 谢雪冰; 杨卫国; 杨海;
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作者单位

1. 云南师范大学物理系 2. 云南师范大学计算机系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
聚焦离子束; 非晶层; 蒙特卡罗方法; 光电子器件;

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