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SOI材料的缺陷及其表征

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摘要

简述了利用注氧隔离法(SIMOX)制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施.

著录项

来源
《材料导报》 |2007年第3期|123-125|共3页
作者
夏庆锋; 杨德仁; 马向阳; 阙端麟;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
缺陷; SOI材料; 表征; SIMOX;

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