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陈爱军; 吴雪梅; 诸葛兰剑;
苏州大学物理系;
苏州大学分析与测试中心 苏州215006;
江苏省薄膜材料重点实验室;
苏州215006;
ZnO薄膜; 性质; 制备; p-n结;
机译:在Bi 0.7 ce:inf> Dy 0.3 ce:inf> FeO 3 ce:inf>与Si / ZnO薄膜集成的薄膜,用于MEMS和存储器应用
机译:$ {hbox {N}} _ {2} $气体流量对ZnO薄膜的高频磁电特性的影响
机译:掺W的ZnO薄膜的磁电性能
机译:铟掺杂对ZnO薄膜微观结构,光学和荧光性能的影响
机译:光驱动离子泵的结构表征:视紫红质的趋光性信号突变体和蛋白视紫红质的两个变体。
机译:磁电叠层传感器的等效磁噪声研究进展
机译:近空间升华法制备掺银纳米ZnO薄膜的结构,发光性能
机译:静态磁电等离子体中低频波色散关系的研究进展
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
机译:含ZnO薄膜生长的原始材料供应源,生产含ZnO薄膜的装置和方法以及包括ZnO薄膜的发光元件
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